SJ 20957-2006 大功率半导体激光二级管阵列通用规范
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ID： |
33ADDC28DA3443C5926143C05D00E400 |
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文件大小(MB)： |
2.02 |
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页数： |
20 |
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文件格式： |
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日期： |
2024-7-27 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 6124 SJ 20957—2006,大功率半导体激光二极管阵列通用规范,General specification for,large power semiconductor laser diode array,2006-08-07 发布2006-12-30 实施,中华人民共和国信息产业部 批准,SJ 20957—2006,目 次,前言.，.. ;.. n, 范围. 二.. :.. 1,2引用文件. :..1,3 要求 ：.. 1,3.1 总则. :..1,3.2 材料 L,3.3 结构 2,3.4 光电性能. 2,3.5 标志-.. 2,4质は保证规定. 3,4J 检验分类. ：.. 3,4.2 检验条件 ： ：.. 3,4.3 检验批的构成3,4.4 材料的检验.. 4,4.5 鉴定检验. 4,4,6 筛选 5,4.7 质贵一致性检验 5,4.8 光电特性的检验方法. 8,4.9 环境和机械检验试验方法 8,5 交货准备.. 9,5.1 包装要求. 9,5.2 成品的安全存放 9,5.3 运输要求. 9,6说明事项. 9,6.1 预定用途. -. 9,6.2 分类 9,6.3 订购文件中应明胸的内容.. :..9,6.4 术语和定义. : 9,附录A （规范性附录）峰值波长6P）、光谱宽度（& 2的测试方法 10,附录B （规范性附录）输岀光功率（P）、输出能用（E）测试方法 12,附录C （规范性附录）结构相似产品试验组合指南.. 15,SJ 20957^2006,-LX- —1—,刖 a,本规范的刷求A、附录B和附录C是规范性附录.,本规范由信息产业部电子第四研究所归口,本规范起草单位:信息产业部电子第四研究所,本规范主要起草人:赵英、钟斌,11,SJ 20957—2006,大功率半导体激光二极管阵列通用规范,1范围,本规范规定了军用裸封装的大功率半导体激光二极管阵列（以下简称阵列或产品）生产和交付的通,用耍求,以及必须满足的质量和可靠性保证要求,2引用文件,光,体激光二’ ノ,文件,其最新版本适用于,的安全 第1部分:设备分类、耍求:,换日期和口,集成电路第5,菌试验,检验,子及,件质量保证大弱,件试验的a和程序,采用“规定”或“检,分立器,境试验方,下列文件中的有关条款通,改单（不包括勘误的内容）,本的可能性。凡不注日期丒,次的引用文件,其后的任何修,的各方探讨使用其最新版,GB 7247.1—200,GB/T 7408—1,GB/T 15651,GJB 150.1,GJB 179,GJB 360A,GJB 546,GJB 548,GJB 894A,SJ 2749—158,3要求,3. 1总则,3. 1. 1产品应符合,时,应以相关详细规范ラ,相关详细规范,も髙鼠.;及〃曲Mr要4. 1求药相关详细规范不一致,刊证出处时,即指明证,3.1,2 按本规范提交产品的承能,3.1.3 按本规范供货的产品,应是经ノ,d,3.2材料,3. 2. I通则,产品应以本规范或相关详细规范（见3.1.1）中所规定的材料制造。若某种特定的材料规范中没有规,定时,只耍这种材料可以使产品满足规范中的性能要求,则这种材料可以使用。用于制造产品的材料,当按本规范的条件试验时,或按其用途使用时,对人员的健康应是无害的。任何构成材料的接收或批准,不应被认为是最终产品接收的保证.,3. 2. 2金属,所有金属应是抗腐蚀的,或经抗腐蚀的处理,3. 2. 3 霉菌,按本规范设计产品所用的全部材料在霉菌试验中的毒菌生长情况不应超过GJB 150.10—1986表2中,等级1的要求,1,SJ 20957—2006,3.3结构,3. 3. 1单bar的长度,若无其它规定,阵列的单bar长度应为1cm,3.3.2 bar间距（适用时）,.,阵列的bar间距应满足产品的性能要求并在详细规范中规定,3.3.3 光纤（适用时）,对于光纤耦合输岀的产品,光纤的芯径、数值孔径等应满足产品的性能要求并在详细规范中规定,3.3.4 光窗或透镜（适用时） ?,对于光窗或透镜耦合输岀的产品,光窗或透镜应满足产品的性能要求并在详细规范中规定,3.3.5 引出端（适用时）,引出端的材料和结构应满足产品的性能要求并在详细规范中规定,3.3. 6制冷方式（适用时）,阵列的制冷方式应满足产品的性能要求并在详细规范中规定,3.4光电 性能,3. 4. 1通则,产品的光电性能应符合本规范和相关详细规范的规定，但至少应包括3.4.2.3.4.8的参数。测试方法,应按4.8的规定,3. 4. 2正向电压,在规定额定输出光功率的条件下测试,正向电压应符合规定,4■3输出光功率. .,在规定热沉温度、止向电流的条件下测试,输出光功率应符合规定.,3.4.4 峰值波长,在规定热沉温度、额定输出光功率的条件下测试,峰值波长应符合规定,3.4.5 光谱半宽,在规定热沉温度、额定输出光功率的条件下测试,光谱半宽应符合规定,3. 4.6阈值电流,在规定热沉温度、输出光功率的条件下测试,阈值电流应符合规定,3.4.7 平行/垂直发散角晻 ?,在规定热沉温度、额定输出光功率的条件下制试，平行/垂直发散角应符合规定,3.4.8 电光效率,在规定热沉温度,额定输出光功率的条件下测试,‘电光效率应符合规定,3. 4.9上升时间、下降时间（适用时） ?,在规定热沉温度、额定输出光功率、脉冲宽度、占空比的条件下测试，光脉冲的上升时间、ネ降时,间应符合规定,3.5标志,3. 5. 1标志的识别,每个产品上的标志应符合本规范及相关详细……
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